Vishay Semiconductor Diodes Division - SE20FJ-M3/H

KEY Part #: K6452771

SE20FJ-M3/H ფასები (აშშ დოლარი) [962153ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04057
  • 3,000 pcs$0.04036
  • 6,000 pcs$0.03812
  • 15,000 pcs$0.03476
  • 30,000 pcs$0.03252

Ნაწილი ნომერი:
SE20FJ-M3/H
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE20FJ-M3/H electronic components. SE20FJ-M3/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE20FJ-M3/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE20FJ-M3/H პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SE20FJ-M3/H
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.7A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 2A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 920ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 13pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-219AB (SMF)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • MMBD1401A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode

  • BAS21-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast

  • VS-15EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast