Microsemi Corporation - 1N6630

KEY Part #: K6452988

1N6630 ფასები (აშშ დოლარი) [9076ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.90161
  • 100 pcs$4.87723

Ნაწილი ნომერი:
1N6630
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation 1N6630 electronic components. 1N6630 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6630, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6630 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N6630
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 990V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 1.4A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 990V
Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : A, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • GSD2004W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns