Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV19W-E3-08

KEY Part #: K6452794

BAV19W-E3-08 ფასები (აშშ დოლარი) [1936260ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02016
  • 3,000 pcs$0.02006
  • 6,000 pcs$0.01744
  • 15,000 pcs$0.01483
  • 30,000 pcs$0.01395
  • 75,000 pcs$0.01308
  • 150,000 pcs$0.01163

Ნაწილი ნომერი:
BAV19W-E3-08
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, დენის მართვის მოდული and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV19W-E3-08 electronic components. BAV19W-E3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV19W-E3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV19W-E3-08 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAV19W-E3-08
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.25V @ 200mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100nA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SOD-123
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-123
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 150°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • MMBD1401A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode

  • BAS21-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V

  • VS-15EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast

  • VS-8EWH02FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252. Rectifiers Freds - D-PAK-e3