Vishay Siliconix - SIRB40DP-T1-GE3

KEY Part #: K6525233

SIRB40DP-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [140802ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.26269
  • 3,000 pcs$0.24667

Ნაწილი ნომერი:
SIRB40DP-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3 electronic components. SIRB40DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRB40DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRB40DP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIRB40DP-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 45nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4290pF @ 20V
ძალა - მაქსიმუმი : 46.2W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • SP8J65TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC.

  • SQ4917EY-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO.

  • SP8K2TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC.