Vishay Siliconix - SI3585DV-T1-E3

KEY Part #: K6524448

[3828ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI3585DV-T1-E3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3 electronic components. SI3585DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3585DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3585DV-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI3585DV-T1-E3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N and P-Channel
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2A, 1.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 250µA (Min)
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 3.2nC @ 4.5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 830mW
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-TSOP

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ