Ნაწილი ნომერი :
SSM6N58NU,LF
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
FET ტიპი :
2 N-Channel (Dual)
FET თვისება :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
84 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
1.8nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
129pF @ 15V
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
6-WDFN Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
6-UDFN (2x2)