Vishay Siliconix - SI1912EDH-T1-E3

KEY Part #: K6524457

[3825ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI1912EDH-T1-E3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1912EDH-T1-E3 electronic components. SI1912EDH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1912EDH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1912EDH-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI1912EDH-T1-E3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.13A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 100µA (Min)
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 570mW
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-70-6 (SOT-363)

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ