ON Semiconductor - FDG6301N-F085P

KEY Part #: K6523492

[4147ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    FDG6301N-F085P
    მწარმოებელი:
    ON Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in ON Semiconductor FDG6301N-F085P electronic components. FDG6301N-F085P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG6301N-F085P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDG6301N-F085P პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : FDG6301N-F085P
    მწარმოებელი : ON Semiconductor
    აღწერა : DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
    სერიები : Automotive, AEC-Q101
    ნაწილის სტატუსი : Active
    FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 25V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 220mA (Ta)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 220mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9.5pF @ 10V
    ძალა - მაქსიმუმი : 300mW
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-70-6

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ