Vishay Siliconix - SI4967DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524014

[4656ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SI4967DY-T1-GE3
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4967DY-T1-GE3 electronic components. SI4967DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4967DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4967DY-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SI4967DY-T1-GE3
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
    სერიები : TrenchFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : 2 P-Channel (Dual)
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 55nC @ 10V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
    ძალა - მაქსიმუმი : 2W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ