Ნაწილი ნომერი :
TSM2312CX RFG
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
4.9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 4.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
11.2nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
500pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
750mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-23
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3