Microchip Technology - 2N6660

KEY Part #: K6398365

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microchip Technology 2N6660 electronic components. 2N6660 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N6660, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : 2N6660

მწარმოებელი : Microchip Technology

აღწერა : MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

FET ტიპი : N-Channel

ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)

გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V

მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 410mA (Ta)

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -

Vgs (მაქს) : ±20V

შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 50pF @ 24V

FET თვისება : -

დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 6.25W (Tc)

ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Through Hole

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-39

პაკეტი / საქმე : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

TN2640N3-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.
FDD8444L-F085

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.
IRLR3705ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.
IXTY44N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.
IRFIB5N65APBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP.
TK290A60Y,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS.