Vishay Siliconix - SQD100N02-3M5L_GE3

KEY Part #: K6419760

SQD100N02-3M5L_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [130121ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.28425

Ნაწილი ნომერი:
SQD100N02-3M5L_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQD100N02-3M5L_GE3 electronic components. SQD100N02-3M5L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD100N02-3M5L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD100N02-3M5L_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQD100N02-3M5L_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5500pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 83W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252AA
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 2N7000

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • AUIRFR4292TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • AUIRFR4105ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • AUIRFR3806TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

  • AUIRFR5505TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

  • TK60S06K3L(T6L1,NQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A DPAK-3.