Murata Electronics North America - NFM18PS105R0J3D

KEY Part #: K7359537

NFM18PS105R0J3D ფასები (აშშ დოლარი) [1294413ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02872
  • 4,000 pcs$0.02857
  • 8,000 pcs$0.02689
  • 12,000 pcs$0.02521
  • 28,000 pcs$0.02353

Ნაწილი ნომერი:
NFM18PS105R0J3D
მწარმოებელი:
Murata Electronics North America
Დეტალური აღწერა:
CAP FEEDTHRU 1UF 20 6.3V 0603. Feed Through Capacitors 0603 1.0uF
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: DSL ფილტრები, ელექტროგადამცემი ხაზის ფილტრის მოდულები, Ferrite დისკები და ფირფიტები, RF ფილტრები, აქსესუარები, ფერიტის ბირთვები - კაბელები და გაყვანილობა, იკვებება კონდენსატორებით and კერამიკული ფილტრები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Murata Electronics North America NFM18PS105R0J3D electronic components. NFM18PS105R0J3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM18PS105R0J3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NFM18PS105R0J3D პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NFM18PS105R0J3D
მწარმოებელი : Murata Electronics North America
აღწერა : CAP FEEDTHRU 1UF 20 6.3V 0603
სერიები : EMIFIL®, NFM18
ნაწილის სტატუსი : Active
ტევადობა : 1µF
ტოლერანტობა : ±20%
ძაბვა - შეფასებული : 6.3V
მიმდინარე : 2A
DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური) : 30 mOhm
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 105°C
ჩასმა ზარალით : -
ტემპერატურის კოეფიციენტი : -
რეიტინგები : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 0603 (1608 Metric), 3 PC Pad
ზომა / განზომილება : 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm)
სიმაღლე (მაქსიმუმი) : 0.028" (0.70mm)
ძაფის ზომა : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.