Ნაწილი ნომერი :
IXTR16P60P
აღწერა :
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
790 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
92nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
5120pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
190W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ISOPLUS247™
პაკეტი / საქმე :
ISOPLUS247™