Diodes Incorporated - DMJ70H1D3SJ3

KEY Part #: K6392941

DMJ70H1D3SJ3 ფასები (აშშ დოლარი) [98319ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.39770
  • 75 pcs$0.37345

Ნაწილი ნომერი:
DMJ70H1D3SJ3
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH TO251.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3 electronic components. DMJ70H1D3SJ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMJ70H1D3SJ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMJ70H1D3SJ3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMJ70H1D3SJ3
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH TO251
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 700V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13.9nC @ 10V
Vgs (მაქს) : -
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 351pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 41W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 155°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-251
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ