Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP25J-E3/73

KEY Part #: K6440254

RGP25J-E3/73 ფასები (აშშ დოლარი) [322487ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.12103
  • 2,000 pcs$0.12043

Ნაწილი ნომერი:
RGP25J-E3/73
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD. Rectifiers 2.5A, 600V, 250NS, FS, SUPERECT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP25J-E3/73 electronic components. RGP25J-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP25J-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGP25J-E3/73 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RGP25J-E3/73
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD
სერიები : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 150ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-201AD, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-201AD
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • SDUR3060W

    SMC Diode Solutions

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC.

  • IDD06E60BUMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252.