Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2AHM3/5BT

KEY Part #: K6440331

ES2AHM3/5BT ფასები (აშშ დოლარი) [573751ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06447
  • 12,800 pcs$0.05606

Ნაწილი ნომერი:
ES2AHM3/5BT
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2AHM3/5BT electronic components. ES2AHM3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2AHM3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES2AHM3/5BT პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ES2AHM3/5BT
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 900mV @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AA (SMB)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM