Ნაწილი ნომერი :
IDB30E120ATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
50A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
2.15V @ 30A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
243ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
100µA @ 1200V
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO263-3
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C