Keystone Electronics - 36

KEY Part #: K7359576

36 ფასები (აშშ დოლარი) [935213ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.03955
  • 10 pcs$0.03401
  • 50 pcs$0.02183
  • 100 pcs$0.02112
  • 250 pcs$0.01819
  • 1,000 pcs$0.01528
  • 2,500 pcs$0.01383
  • 5,000 pcs$0.01310

Ნაწილი ნომერი:
36
მწარმოებელი:
Keystone Electronics
Დეტალური აღწერა:
EYELET 0.187 BRASS TIN PLATED. Switch Bezels / Switch Caps SECURITY GUARD RED LOCKUP
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დამაგრებითი შესაკრავები, კომპონენტის იზოლატორები, მონტაჟი, სივრცები, სტრუქტურული, მოძრაობის აპარატურა, ქაფი, სამონტაჟო ფრჩხილები, საყელურები, ბამპერები, ფეხები, ბალიშები, საძაგლები and თხილი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Keystone Electronics 36 electronic components. 36 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 36, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

36 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 36
მწარმოებელი : Keystone Electronics
აღწერა : EYELET 0.187 BRASS TIN PLATED
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Eyelets
Rivet დიამეტრი : 0.089" (2.26mm)
Rivet სიგრძე : 0.187" (4.75mm) 3/16"
ხელმძღვანელის დიამეტრი : 0.150" (3.81mm)
სიმაღლის თავი : -
ხვრელის დიამეტრი : 0.093" (2.36mm)
Grip Range : -
მახასიათებლები : Requires Installation Tool
ფერი : -
მასალა : Brass, Tin Plated

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.