Micron Technology Inc. - MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E

KEY Part #: K937752

MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E ფასები (აშშ დოლარი) [17894ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.56070

Ნაწილი ნომერი:
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 2G PARALLEL TSOP. NAND Flash SLC 2G 256MX8 TSOP
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ენერგიის გაზომვა, საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ, ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა, PMIC - V / F და F / V გადამყვანი, ინტერფეისი - შიფრატორები, დეკოდიერები, გადამყვანი, PMIC - LED მძღოლები, PMIC - ხელმძღვანელები and მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E electronic components. MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 2G PARALLEL TSOP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა : 2Gb (256M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 48-TSOP

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C