Winbond Electronics - W9812G2KB-6I

KEY Part #: K937704

W9812G2KB-6I ფასები (აშშ დოლარი) [17776ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.07916
  • 108 pcs$3.06384

Ნაწილი ნომერი:
W9812G2KB-6I
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, ლოგიკა - ფლიპ ფლოპები, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), საათი / დრო - IC ბატარეები, PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, ინტერფეისი - ხმის ჩანაწერი და დაკვრა and PMIC - ენერგეტიკის მენეჯმენტი - სპეციალიზირებული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W9812G2KB-6I electronic components. W9812G2KB-6I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9812G2KB-6I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W9812G2KB-6I პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W9812G2KB-6I
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 128Mb (4M x 32)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-TFBGA (8x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.