Winbond Electronics - W9825G2JB-6

KEY Part #: K937802

W9825G2JB-6 ფასები (აშშ დოლარი) [18078ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.04523
  • 209 pcs$3.03008

Ნაწილი ნომერი:
W9825G2JB-6
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, საათი / დრო - პროგრამირებადი ქრონომეტრები და ოსცილ, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები, ჩაშენებული - სისტემა ჩიპზე (SoC), PMIC - ძაბვის მითითება and ლოგიკა - ფლიპ ფლოპები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W9825G2JB-6 electronic components. W9825G2JB-6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9825G2JB-6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W9825G2JB-6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W9825G2JB-6
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 256Mb (8M x 32)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-TFBGA (8x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C