Vishay Siliconix - SI4178DY-T1-E3

KEY Part #: K6421059

SI4178DY-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [340585ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10860
  • 2,500 pcs$0.10219

Ნაწილი ნომერი:
SI4178DY-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4178DY-T1-E3 electronic components. SI4178DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4178DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4178DY-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4178DY-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±25V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 405pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.4W (Ta), 5W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ