IXYS - IXFH50N60X

KEY Part #: K6395173

IXFH50N60X ფასები (აშშ დოლარი) [12814ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.55554
  • 50 pcs$3.53785

Ნაწილი ნომერი:
IXFH50N60X
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFH50N60X electronic components. IXFH50N60X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH50N60X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH50N60X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFH50N60X
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 50A TO247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 116nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4660pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 660W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ