Vishay Siliconix - IRFI9530GPBF

KEY Part #: K6399499

IRFI9530GPBF ფასები (აშშ დოლარი) [44961ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.78603
  • 10 pcs$0.70826
  • 100 pcs$0.56916
  • 500 pcs$0.44267
  • 1,000 pcs$0.34695

Ნაწილი ნომერი:
IRFI9530GPBF
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix IRFI9530GPBF electronic components. IRFI9530GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI9530GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI9530GPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRFI9530GPBF
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 860pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 42W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220-3
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.