Vishay Siliconix - SIA777EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6522100

SIA777EDJ-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [406296ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.09149
  • 3,000 pcs$0.09104

Ნაწილი ნომერი:
SIA777EDJ-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIA777EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA777EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA777EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA777EDJ-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIA777EDJ-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V, 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.2nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
ძალა - მაქსიმუმი : 5W, 7.8W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SC-70-6 Dual
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SC-70-6 Dual

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ