Allegro MicroSystems, LLC - ACS710KLATR-6BB-T

KEY Part #: K7359504

ACS710KLATR-6BB-T ფასები (აშშ დოლარი) [42361ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.92763
  • 1,000 pcs$0.92301

Ნაწილი ნომერი:
ACS710KLATR-6BB-T
მწარმოებელი:
Allegro MicroSystems, LLC
Დეტალური აღწერა:
SENSOR CURRENT HALL 6A AC/DC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტემპერატურის სენსორები - თერმოკულტურა, ტემპერატური, მაგნიტური სენსორები - კონცენტრატორები (მყარი სახელ, ულტრაბგერითი მიმღები, გადამცემები, ოპტიკური სენსორები - ამრეკლი - ანალოგური გამომავალ, ძალის სენსორები, ტემპერატურის სენსორები - თერმოსტატები - მექანიკური, მოძრაობის სენსორები - გიროსკოპები and IrDA გადამცემი მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Allegro MicroSystems, LLC ACS710KLATR-6BB-T electronic components. ACS710KLATR-6BB-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ACS710KLATR-6BB-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ACS710KLATR-6BB-T პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ACS710KLATR-6BB-T
მწარმოებელი : Allegro MicroSystems, LLC
აღწერა : SENSOR CURRENT HALL 6A AC/DC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
გაზომვისთვის : AC/DC
სენსორის ტიპი : Hall Effect, Open Loop
მიმდინარე - ზონდირება : 6A
არხების რაოდენობა : 1
გამომავალი : Ratiometric, Voltage
მგრძნობელობა : 151mV/A
სიხშირე : DC ~ 120kHz
ხაზოვანი : ±0.25%
სიზუსტე : ±1.6%
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 5.5V
Რეაგირების დრო : 4µs
მიმდინარე - მიწოდება (მაქს) : 14.5mA
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C
პოლარიზაცია : Bidirectional
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.