Micron Technology Inc. - MTFC2GMDEA-0M WT TR

KEY Part #: K937726

MTFC2GMDEA-0M WT TR ფასები (აშშ დოლარი) [17859ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.80275
  • 1,000 pcs$2.78881

Ნაწილი ნომერი:
MTFC2GMDEA-0M WT TR
მწარმოებელი:
Micron Technology Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 16G MMC WFBGA. eMMC MLC EMMC 16G
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - სრული, ნახევარ ხიდი მძღოლები, ლოგიკა - თარჯიმნები, დონის ძრავები, ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, ლოგიკა - კარიბჭე და ინვერტორები - მრავალფუნქციური,, ჩაშენებული - მიკროკონტროლერი, მიკროპროცესორული, FP, PMIC - თერმული მენეჯმენტი, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ and ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - აპარატურა, OP Amps, ბ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Micron Technology Inc. MTFC2GMDEA-0M WT TR electronic components. MTFC2GMDEA-0M WT TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MTFC2GMDEA-0M WT TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MTFC2GMDEA-0M WT TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : MTFC2GMDEA-0M WT TR
მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
აღწერა : IC FLASH 16G MMC WFBGA
სერიები : e•MMC™
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND
მეხსიერების ზომა : 16Gb (2G x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : MMC
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 153-WFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 153-WFBGA (11.5x13)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C