Infineon Technologies - IPP50R399CPHKSA1

KEY Part #: K6418805

IPP50R399CPHKSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [78131ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.50045
  • 500 pcs$0.47341

Ნაწილი ნომერი:
IPP50R399CPHKSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPP50R399CPHKSA1 electronic components. IPP50R399CPHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP50R399CPHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP50R399CPHKSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPP50R399CPHKSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
სერიები : CoolMOS™
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 560V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 330µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 890pF @ 100V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 83W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO220-3-1
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ