STMicroelectronics - STD10P10F6

KEY Part #: K6420484

STD10P10F6 ფასები (აშშ დოლარი) [200217ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18474
  • 2,500 pcs$0.16445

Ნაწილი ნომერი:
STD10P10F6
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 100V 10A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STD10P10F6 electronic components. STD10P10F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD10P10F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD10P10F6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STD10P10F6
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET P-CH 100V 10A
სერიები : STripFET™ F6
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 864pF @ 80V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 40W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DPAK
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ