Ნაწილი ნომერი :
IPI26CNE8N G
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
85V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 39µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
31nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2070pF @ 40V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
71W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO262-3
პაკეტი / საქმე :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA