Infineon Technologies - IPI26CNE8N G

KEY Part #: K6407202

[1055ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IPI26CNE8N G
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IPI26CNE8N G electronic components. IPI26CNE8N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI26CNE8N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI26CNE8N G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IPI26CNE8N G
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
    სერიები : OptiMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 85V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 39µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2070pF @ 40V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 71W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO262-3
    პაკეტი / საქმე : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IPA60R520CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220-3.

    • IPA60R600CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3.

    • IPA60R250CPXKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3.