Ნაწილი ნომერი :
RSS090P03TB
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
39nC @ 5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
4000pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SOP
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)