Diodes Incorporated - DMTH4011SPDQ-13

KEY Part #: K6522907

DMTH4011SPDQ-13 ფასები (აშშ დოლარი) [182195ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.20301

Ნაწილი ნომერი:
DMTH4011SPDQ-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH4011SPDQ-13 electronic components. DMTH4011SPDQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH4011SPDQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH4011SPDQ-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMTH4011SPDQ-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : 2 N-Channel (Dual)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 805pF @ 20V
ძალა - მაქსიმუმი : 2.6W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI5060-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • AO8801AL

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP.

  • SH8K3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8.