Ნაწილი ნომერი :
NTJD4105CT1G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
FET ტიპი :
N and P-Channel
FET თვისება :
Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V, 8V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
46pF @ 20V
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SC-88/SC70-6/SOT-363