ITT Cannon, LLC - 120220-0311

KEY Part #: K7359517

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: RF გამაძლიერებლები, RF დიპლექსორები, RF შეფასებისა და განვითარების კომპლექტები, დაფები, RF დენის გამყოფი / გაყოფილი, RF ფარები, RF ანტენა, RF Front End (LNA + PA) and RFID გადამცემები, წარწერები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0311 electronic components. 120220-0311 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0311, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : 120220-0311

მწარმოებელი : ITT Cannon, LLC

აღწერა : MICRO UNIVERSAL CONTACT Z 1.8MM

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

ტიპი : Shield Finger, Pre-Loaded

ფორმის : -

სიგანე : 0.038" (0.96mm)

სიგრძე : 0.098" (2.50mm)

სიმაღლე : 0.071" (1.80mm)

მასალა : Titanium Copper

პლასტმასის : Nickel

მოპირკეთება - სისქე : 118.11µin (3.00µm)

დანართის მეთოდი : Solder

ოპერაციული ტემპერატურა : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
K4ABG165WA-MCWE

Samsung Semiconductor

32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
K4A4G085WE-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
K4A4G165WE-BCWE

Samsung Semiconductor

4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.