Nexperia USA Inc. - BUK964R7-80E,118

KEY Part #: K6418533

BUK964R7-80E,118 ფასები (აშშ დოლარი) [67684ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.58058
  • 800 pcs$0.57769

Ნაწილი ნომერი:
BUK964R7-80E,118
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK964R7-80E,118 electronic components. BUK964R7-80E,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK964R7-80E,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK964R7-80E,118 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BUK964R7-80E,118
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 92.1nC @ 5V
Vgs (მაქს) : ±10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 15340pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 324W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.