Everlight Electronics Co Ltd - PT19-21B/L41/TR8

KEY Part #: K7359528

PT19-21B/L41/TR8 ფასები (აშშ დოლარი) [1626459ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.02285
  • 3,000 pcs$0.02274
  • 6,000 pcs$0.01977
  • 15,000 pcs$0.01780
  • 30,000 pcs$0.01582
  • 75,000 pcs$0.01434
  • 150,000 pcs$0.01335

Ნაწილი ნომერი:
PT19-21B/L41/TR8
მწარმოებელი:
Everlight Electronics Co Ltd
Დეტალური აღწერა:
PHOTOTRANSISTOR FLAT BK MINI SMD.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ფერი სენსორები, შოკი სენსორები, მაგნიტური სენსორები - კონცენტრატორები (მყარი სახელ, ოპტიკური სენსორები - ფოტო დეტექტორები - დისტანციურ, სენსორის კაბელი - ასამბლეები, IrDA გადამცემი მოდულები, ოპტიკური სენსორები - ფოტოტრანსტორები and ტემპერატურის სენსორები - თერმოსტატები - მყარი მდგო ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Everlight Electronics Co Ltd PT19-21B/L41/TR8 electronic components. PT19-21B/L41/TR8 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PT19-21B/L41/TR8, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PT19-21B/L41/TR8 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PT19-21B/L41/TR8
მწარმოებელი : Everlight Electronics Co Ltd
აღწერა : PHOTOTRANSISTOR FLAT BK MINI SMD
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 30V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 20mA
აქტუალური - მუქი (Id) (მაქსიმალური) : 100nA
ტალღის სიგრძე : 940nm
Ხედვის კუთხე : -
ძალა - მაქსიმუმი : 75mW
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
ორიენტაცია : Top View
ოპერაციული ტემპერატურა : -25°C ~ 85°C (TA)
პაკეტი / საქმე : 0603 (1608 Metric)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.