Keystone Electronics - 8871

KEY Part #: K7359563

8871 ფასები (აშშ დოლარი) [301681ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.12656
  • 10 pcs$0.11114
  • 50 pcs$0.08084
  • 100 pcs$0.07768
  • 250 pcs$0.06973
  • 1,000 pcs$0.05569
  • 2,500 pcs$0.05072
  • 5,000 pcs$0.04755

Ნაწილი ნომერი:
8871
მწარმოებელი:
Keystone Electronics
Დეტალური აღწერა:
BRD SPT SNAP LOCK NYLON 3/16. Circuit Board Hardware - PCB SUPPORT
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მოქლონები, საყელურები, ხრახნიანი გრომეტი, კაკვები, ხვრელი სანთლები, ხრახნები, ჭანჭიკები, დაფის დისტანციურები, დგომა and სტრუქტურული, მოძრაობის აპარატურა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Keystone Electronics 8871 electronic components. 8871 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 8871, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

8871 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 8871
მწარმოებელი : Keystone Electronics
აღწერა : BRD SPT SNAP LOCK NYLON 3/16
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ჩატარების ტიპი : Snap Lock
სამონტაჟო ტიპი : Snap Lock
დაფის სიმაღლეს შორის : 0.188" (4.78mm) 3/16"
სიგრძე - საერთო ჯამში : 0.747" (18.98mm)
მხარდაჭერა ხვრელის დიამეტრი : 0.125" (3.18mm) 1/8"
პანელის სისქე : 0.062" (1.57mm) 1/16"
სამონტაჟო ხვრელის დიამეტრი : 0.125" (3.18mm) 1/8"
პანელის სისქე : 0.062" (1.57mm) 1/16"
მახასიათებლები : Winged
მასალა : Nylon

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.