Ნაწილი ნომერი :
IPD025N06NATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 95µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
71nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
5200pF @ 30V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3W (Ta), 167W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO252-3
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63