Infineon Technologies - BSC024N025S G

KEY Part #: K6409997

[89ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BSC024N025S G
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies BSC024N025S G electronic components. BSC024N025S G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC024N025S G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSC024N025S G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BSC024N025S G
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
    სერიები : OptiMOS™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 25V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 100A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 90µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 52nC @ 5V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6530pF @ 15V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TDSON-8
    პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • IXTY1R4N60P

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.