Ნაწილი ნომერი :
IPP60R600P7XKSA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 80µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
9nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
363pF @ 400V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
30W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TO220-3
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3