Ნაწილი ნომერი :
STU8NM60ND
მწარმოებელი :
STMicroelectronics
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
22nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
560pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
70W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
I-PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA