Keystone Electronics - 4325

KEY Part #: K7359559

4325 ფასები (აშშ დოლარი) [139583ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.24916
  • 10 pcs$0.23493
  • 50 pcs$0.18802
  • 100 pcs$0.18019
  • 250 pcs$0.16453
  • 500 pcs$0.15670
  • 1,000 pcs$0.13158
  • 2,500 pcs$0.11752
  • 5,000 pcs$0.11361

Ნაწილი ნომერი:
4325
მწარმოებელი:
Keystone Electronics
Დეტალური აღწერა:
BRACKET BOARD. Cable Mounting & Accessories WCLA 562 NATURAL LOCK REL WIRE CLIP
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: სხვადასხვა, საყელურები - ბუსუსები, მხრები, მოქლონები, დაფის დისტანციურები, დგომა, DIN Rail Channel, ბამპერები, ფეხები, ბალიშები, საძაგლები, აქსესუარები and ხრახნები, ჭანჭიკები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Keystone Electronics 4325 electronic components. 4325 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 4325, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

4325 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 4325
მწარმოებელი : Keystone Electronics
აღწერა : BRACKET BOARD
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
ტიპი : Bracket, Non-Threaded Hole(s)
ფორმის : Z Shape
თემა / ხრახნიანი / ხვრელის ზომა : 0.130" (3.30mm), 0.187" (4.75mm)
მასალა : Steel, Nickel Plated

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.