ON Semiconductor - FDT86256

KEY Part #: K6395156

FDT86256 ფასები (აშშ დოლარი) [202426ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.18363
  • 4,000 pcs$0.18272

Ნაწილი ნომერი:
FDT86256
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDT86256 electronic components. FDT86256 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDT86256, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDT86256 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDT86256
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.2A (Ta), 3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 845 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 73pF @ 75V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.3W (Ta), 10W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-223-4
პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ