Vishay Siliconix - SIR422DP-T1-GE3

KEY Part #: K6416256

SIR422DP-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [167720ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.22053
  • 3,000 pcs$0.20708

Ნაწილი ნომერი:
SIR422DP-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIR422DP-T1-GE3 electronic components. SIR422DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR422DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR422DP-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIR422DP-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1785pF @ 20V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 5W (Ta), 34.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® SO-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® SO-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.