Ნაწილი ნომერი :
SSM6J507NU,LF
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
20.4nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1150pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.25W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
6-UDFNB (2x2)
პაკეტი / საქმე :
6-WDFN Exposed Pad