Diodes Incorporated - DMN3730U-7

KEY Part #: K6420550

DMN3730U-7 ფასები (აშშ დოლარი) [618813ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05977
  • 3,000 pcs$0.05384

Ნაწილი ნომერი:
DMN3730U-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3730U-7 electronic components. DMN3730U-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3730U-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3730U-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN3730U-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 750mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 64.3pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 450mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ