Infineon Technologies - BSS806NH6327XTSA1

KEY Part #: K6416950

BSS806NH6327XTSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [907269ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04077
  • 3,000 pcs$0.03254

Ნაწილი ნომერი:
BSS806NH6327XTSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - RF and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1 electronic components. BSS806NH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS806NH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS806NH6327XTSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSS806NH6327XTSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 750mV @ 11µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.7nC @ 2.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 529pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 500mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.