NFM18CC223R1C3D ფასები (აშშ დოლარი) [753596ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.04933
- 4,000 pcs$0.04908
- 8,000 pcs$0.04619
- 12,000 pcs$0.04331
- 28,000 pcs$0.04042
- Ნაწილი ნომერი:
- NFM18CC223R1C3D
- მწარმოებელი:
- Murata Electronics North America
- Დეტალური აღწერა:
- CAP FEEDTHRU 0.022UF 16V 0603. Feed Through Capacitors 0603 0.022uF
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: DSL ფილტრები, EMI / RFI ფილტრები (LC, RC ქსელები), SAW ფილტრები, საერთო რეჟიმი ჩოკი, ელექტროგადამცემი ხაზის ფილტრის მოდულები, Ferrite მძივები და ჩიპები, Helical Filters and ფერიტის ბირთვები - კაბელები და გაყვანილობა ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Murata Electronics North America NFM18CC223R1C3D electronic components. NFM18CC223R1C3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM18CC223R1C3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NFM18CC223R1C3D პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
NFM18CC223R1C3D
მწარმოებელი :
Murata Electronics North America
აღწერა :
CAP FEEDTHRU 0.022UF 16V 0603
სერიები :
EMIFIL®, NFM18
ნაწილის სტატუსი :
Active
ტევადობა :
0.022µF
ტოლერანტობა :
±20%
ძაბვა - შეფასებული :
16V
მიმდინარე :
1A
DC წინააღმდეგობა (DCR) (მაქსიმალური) :
50 mOhm
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 125°C
ჩასმა ზარალით :
-
ტემპერატურის კოეფიციენტი :
-
რეიტინგები :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
0603 (1608 Metric), 3 PC Pad
ზომა / განზომილება :
0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm)
სიმაღლე (მაქსიმუმი) :
0.028" (0.70mm)
ძაფის ზომა :
-
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
ცხელი ნაწილები
- 4702-004T
- YFF32SC1E223M
- 54-786-013
- 1609990-2
- 4400-683
- 4400-096
- B85121A2253B250
- YFF21SC1H221MT000N
- 2425-003-X7R0-501ZLF
- 4306-020LF
- 2499-003-X5S0-102M
- 2425-003-X7R0-102M
- 4400-016LF
- 4400-080
- 4702-004M
- 4300-023
- 2432-032-X5U0-402M
- 2499-003-X5W0-702ZLF
- PSM4-103Z-05B
- 54-874-016
- PSM4-471P-05T2
- 9900-381-6006
- YFF32SC1E473M
- 4302-009LF
- 4300-063
- 4305-009
- 4702-002TLF
- 4400-097
- 2482-000-X7U0-102P
- 2463-001-X5S0-471MLF
- 4601-010LF
- 4400-682
- 4304-680
- PSM4-102M-02T0
- 0327-010-X5U0-152M
- 4300-011
- 4306-009
- 2499-003-X5R0-152M
- 2499-540-X7W0-502Z
- W3H11A4718AT1F
选择你的位置