Infineon Technologies - IPD25CN10NGATMA1

KEY Part #: K6403603

IPD25CN10NGATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [179935ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.20556
  • 2,500 pcs$0.19740

Ნაწილი ნომერი:
IPD25CN10NGATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPD25CN10NGATMA1 electronic components. IPD25CN10NGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD25CN10NGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD25CN10NGATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPD25CN10NGATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 39µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2070pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 71W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO252-3
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD8782

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

  • FDD6N50TM-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FQD1N60CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 1A DPAK.

  • FQD6N25TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.

  • FDD5612

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK.

  • FDD6612A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK.